钙钛矿宽光谱光电探测器因其在紫外至近红外宽光谱范围内的响应能力，在成像、光通信等领域展现出广泛的应用前景。然而，其光电二极管的性能受结晶质量和界面特性限制，尤其是p-i-n结构中NiOx/钙钛矿埋底界面的缺陷和载流子复合问题，制约了其响应速度和探测灵敏度。
针对这一挑战，我院王越副教授采用D-A型分子MPA2FPh-BT-BA（简称2F）对NiOx/钙钛矿埋底界面进行修饰。该分子利用其给体-受体结构中的高效锚定基团与NiOx表面紧密结合，有效减少了镍空位缺陷；同时，分子骨架通过氢键和配位作用与钙钛矿前驱体相互作用，在埋底界面处诱导形成高质量钙钛矿薄膜，实现了结晶取向调控与界面缺陷同步钝化。基于此策略，团队成功制备了高性能p-i-n结构钙钛矿光电二极管，在自供电模式（0 V）下表现出优异性能：350-830 nm光谱范围内，响应度超过0.2 A/W、比探测率大于1012 Jones；在7.5 mm2的有效面积下，响应速度达到372 ns（上升时间）和351 ns（下降时间）。此外，团队还制备了不同有效面积（1.875 - 43.2 mm2）的器件，验证了该策略的普适性。这些高性能器件成功应用于光通信系统，成功传输ASCII编码字符“FJNU”，充分证明了其在高速光通信领域的应用潜力。该成果以"High-performance perovskite photodiode with homogeneous crystallization and buried interface passivation for ultrafast optical communication"为题发表于国际学术期刊《Materials Today Chemistry》。
我院为该研究工作的第一完成单位，硕士毕业生梁倩倩、硕士研究生汪睿为共同第一作者。王漾教授、王越副教授、李德力副教授以及南京工业大学陈永华教授为共同通讯作者。研究得到了国家自然科学基金、福建省自然科学基金等项目的支持。
原文链接：https://doi.org/10.1016/j.mtchem.2025.103208
供稿：王 越
责编：董浩玉
审核：杨 震
